SK海力士週五宣布，將投資約54兆韓圓（381億美元）於龍仁與清州興建新半導體晶圓廠，加速擴充產能，以因應人工智慧帶動的記憶體晶片需求激增。

該公司董事會已批准35.2兆韓圓用於Y2——位於京畿道龍仁半導體集群的第二座晶圓廠，以及19.1兆韓圓用於M17——位於忠清北道清州的新NAND快閃記憶體製造廠。

此項投資為六月公布的長期擴產計畫的一部分。在該計畫下，SK海力士擬對龍仁集群投入總計600兆韓圓，另撥100兆韓圓擴建清州生產基地。這項承諾的規模凸顯出，這家全球第二大記憶體晶片製造商正積極捍衛其高頻寬記憶體領域的領先地位，抵禦來自三星電子與美光科技日益激烈的競爭——兩家公司同樣投入數十億美元擴充先進記憶體產能，以服務NVIDIA等AI加速器製造商。

「在AI時代，僅有技術競爭力是不夠的。能夠在客戶需要時及時供應所需產品，這本身就是一種競爭力來源，」SK海力士一位官員表示。「我們是在仔細評估需求後決定此項投資的。」

Y2將是龍仁集群規劃的四座晶圓廠中的第二座，總樓地板面積約113萬平方公尺。建設預計於明年七月動工，首座無塵室預計於2029年六月啟用。該廠將生產新一代DRAM產品，包括AI加速器關鍵零組件——高頻寬記憶體（HBM）。SK海力士目前向NVIDIA供應HBM3E——即該堆疊記憶體技術的最新世代——隨著AI模型訓練與推論工作負載持續倍增，提升新一代HBM產出將是維持此一合作關係的關鍵。Y2的投資將分階段進行，至2031年十月完成。

SK海力士目前正興建該集群的第一座晶圓廠Y1，其首座無塵室預計於明年二月啟用。該公司已將龍仁四座晶圓廠的完工目標從原先的2045年提前至2033年。此一12年的時程壓縮，既反映了AI驅動需求的迫切性，也凸顯了全球半導體供應鏈面臨的更廣泛壓力——各國政府與超大規模資料中心業者無不致力確保充足的晶圓製造產能。

龍仁集群佔地約420萬平方公尺，位於該市的三洞地區。其電力與供水基礎設施第一期工程已接近完工，進度達99%。

在清州，M17廠將佔地約68.1萬平方公尺。建設預計於2027年二月展開，首座無塵室預計於2028年十二月啟用。投資將分階段進行，至2031年四月完成。

SK海力士已在清州廠區營運M11、M12及M15三座NAND快閃記憶體晶圓廠，使新廠能利用既有的土地、電力及供水基礎設施，並與鄰近的生產線連結。NAND快閃記憶體需求雖然目前不如AI驅動的DRAM與HBM那樣強勁，但長期而言預計將受益於資料中心與端側AI應用的儲存需求增長。

「此項投資旨在確保我們不會錯失市場成長帶來的機會，」SK海力士一位官員表示。「透過在需求出現之前先行確保生產基礎設施，我們期許成為關鍵的AI基礎設施合作夥伴，為全球穩定的AI半導體供應鏈做出貢獻。」