三星電子（Samsung Electronics Co.）發表了業界首個 zHBM 概念模型，這是一種旨在提供約 HBM5 八倍效能的新一代記憶體架構。

該公司於週二（當地時間）在加州聖克拉拉舉行的「未來記憶體與儲存 2026」（Future of Memory and Storage 2026）研討會上展示了這項新技術。三星是全球營收最大的記憶體晶片製造商，也是用於 AI 加速器的高頻寬記憶體（HBM）主要供應商之一，與競爭對手 SK 海力士（SK Hynix）及美光科技（Micron Technology）並列。隨著雲端服務供應商和晶片製造商競相打造更強大的訓練與推論系統，HBM 需求急遽攀升，已成為 AI 硬體供應鏈中的關鍵差異化要素。

zHBM 專為先進人工智慧運算而設計，引入了全新的記憶體架構，將 HBM 直接垂直堆疊於 AI 加速器上方。這有別於傳統設計——在傳統設計中，HBM 晶片透過 2.5D 中介層技術與處理器並排排列於封裝上。隨著 AI 模型規模不斷擴大，處理器與記憶體之間的資料傳輸瓶頸——通常被稱為「記憶體牆」——已成為系統效能的主要限制因素，使得封裝層級的架構創新日益重要。

據三星表示，zHBM 採用晶圓接合（wafer-bonding）技術，可實現超過 HBM5 十倍以上的記憶體密度。該架構也將能源效率提升三倍，並與現有 HBM5 設計相比將熱阻降低一半以上。散熱管理一直是堆疊記憶體層的核心工程挑戰之一，三星宣稱大幅降低熱阻，正好解決了更深層垂直整合的已知障礙。

該技術還支援客製化設計，允許將客製化智慧財產權整合至記憶體與 AI 加速器之間的中間層。此功能擴展了可用記憶體容量並提升了加速器的整體效能。

透過最小化資料在 AI 處理器與記憶體之間傳輸的物理距離，zHBM 在設計上可提供更高的頻寬和更佳的能源效率。三星表示，這使得大規模 AI 訓練與推論工作負載所需的超高速資料處理成為可能。

三星電子表示，在與客戶密切合作的基礎上，該公司計畫透過 zHBM 進一步最佳化 AI 處理器與記憶體的整合，以最大化 AI 系統整體效能。該公司目前僅將 zHBM 作為概念發表，尚未宣布量產時間表。（韓聯社）