三星電子已突破其次世代AI記憶體晶片10億美元的銷售大關，距離量產開始僅約四個月便達成此一里程碑。該公司的高頻寬記憶體（HBM）4晶片於2026年2月12日開始出貨，據報效能提升幅度超越前一代標準達40%以上。

HBM4推出與AMD供應協議

HBM4晶片的量產於2026年2月啟動。至3月18日，三星已與AMD簽署諒解備忘錄，為AMD的Instinct MI455X GPU及EPYC處理器供應HBM4晶片。此合作夥伴關係目標頻寬高達每秒3.3兆位元組（TB/s），透過三星的10奈米級製程實現。與AMD的協議代表了三星HBM4計畫的重大商業驗證，因為加速器設計商日益直接根據其晶片路線圖採購記憶體。

高頻寬記憶體已成為AI硬體生態系統中的關鍵元件，因其提供大規模AI加速器與資料中心GPU所需的資料吞吐量。HBM晶片是垂直堆疊的DRAM裸晶，位於處理器附近，相較於傳統記憶體架構能降低延遲並提升頻寬。隨著AI模型的參數數量增長、訓練叢集規模擴大，HBM頻寬與容量已成為主要瓶頸，使次世代HBM供應成為每一家主要GPU與加速器廠商的策略優先事項。

三星與NVIDIA亦在GTC 2026活動中舉行了討論，重點聚焦於HBM4E整合及未來HBM5架構的開發。三星是否能取得NVIDIA即將推出的加速器世代認證，仍是AI記憶體領域中最受矚目的競爭動態之一。

HBM4E：三星的12層創新

至2026年5月，三星已開始出貨其12層HBM4E變體的樣品，該公司將其描述為業界首創。這些晶片可達到每針腳16 Gbps的速度，此規格旨在最大化AI工作負載的能源效率。

轉向12層設計代表了一項重大的工程成就，因為堆疊更多層可在維持散熱與訊號完整性的同時，提升每個封裝的記憶體容量。更高的層數直接滿足了每個加速器對更大記憶體容量的需求，使AI系統能容納更大的模型和更大的批次規模，而無需增加記憶體子系統的物理佔用空間。

AI記憶體市場的競爭格局

截至2026年6月23日達成的10億美元銷售數字，凸顯了整個AI供應鏈對高效能記憶體的強烈需求。三星從2月量產啟動到6月下旬達到十億美元營收的積極時程，反映了整個產業擴大AI基礎設施產能的迫切性。超大規模資料中心營運商一直在快速擴展GPU部署，記憶體供應商則競相以次世代HBM的量產來滿足這一需求。

三星在HBM領域面臨激烈競爭。SK海力士在近幾個產品世代中一直是NVIDIA的主要HBM供應商，而美光也在推進其自身的高頻寬記憶體解決方案。三星的HBM4推出以及HBM4E樣品，標誌著其在一個已成為半導體記憶體產業中策略重要性最高領域的市場份額爭奪戰中，展開了協同努力。HBM世代轉換的步調正在加速，HBM4、HBM4E和HBM5的開發目前已重疊進行，壓縮了供應商必須向主要客戶完成次世代晶片認證的時間窗口。