荷蘭半導體設備製造商ASML Holding N.V.公布與三星擴大合作，聚焦High-NA極紫外光（EUV）微影技術——ASML生產最先進晶片的次世代平台——本週其股價上漲約4%至1,870.48美元。ASML是全球唯一製造EUV設備的公司，而High-NA（高數值孔徑）延伸了該技術的解析度，使其能印製次世代晶片所需的更細微電路特徵。

三星承諾將High-NA用於DRAM

於9月8日宣布的擴大合作包括共同開發更大的12吋光罩——即將電路圖案印製到矽晶圓上的模板。三星計劃於2028年前將High-NA EUV技術整合至DRAM量產製程。

此一承諾對ASML而言是重要里程碑。直到不久前，High-NA系統仍普遍被視為成本高昂、商業可行性不確定的實驗平台。隨著三星的承諾，這項技術正從研究計畫轉型為真正的製造基礎設施。對ASML而言，將技術延伸至記憶體領域，也使其最昂貴機台的需求超越迄今推動採用的邏輯晶片製造商。

英特爾提供營運驗證

英特爾已透過High-NA設備處理超過一百萬片晶圓，並表示關鍵生產基準已經達成。這家美國晶片製造商目前在其18A製程節點的特定層採用High-NA微影技術。來自主要客戶的這項營運驗證，為ASML提供了關鍵的市場信心。

台積電排定2030年上線

台積電也已確認其High-NA策略。這家全球領先的晶圓代工廠計劃自2030年起使用該技術啟動大量產，並與ASML合作開發大尺寸光罩。其聲明的目標是提高掃描機產能，同時降低每顆晶片的製造成本。

隨著AI半導體架構日趨複雜，台積電預期額外的製程層將需要High-NA能力。每一個新製程層都轉化為對ASML最昂貴機台的增量需求。隨著三星加入英特爾與台積電的行列，三家位於製造最前線的晶片製造商均已將其路線圖與該技術綁定。

產能擴張與近乎全滿的訂單簿

ML同時也在擴大產能。公司計劃將2027年low-NA EUV製造產能提高30%，自2026年的約65台擴充。根據7月的揭露，ASML的2027年EUV產能已幾乎全部預訂，為將積壓訂單轉化為營收奠定穩固基礎——在歷來具週期性的設備產業中，這種前瞻能見度格外突出。

中國仍是主要不確定因素

中國是最主要的未解風險。路透最近的一項調查顯示，中國自製的浸潤式DUV微影系統已進入商業化生產。這些中國製造的設備在技術上仍落後於ASML的產品，但持續的進展最終可能降低中國對進口半導體設備的依賴。

這項發展之所以重要，是因為中國在2026年上半年約佔ASML營收的16%。現有的出口限制已禁止ASML向中國客戶出貨EUV及部分先進DUV系統。

估值與分析師共識

估值指標同樣值得關注。ASML目前的交易價格高於遠期盈餘預估的32倍，執行失誤的容錯空間有限。該股交易價格也較約1,270美元的GF Value基準高出約48%，High-NA部署時程若出現任何延誤，都可能引發超出比例的股價反應。

儘管存在這些疑慮，華爾街仍維持強烈信心。分析師基於過去三個月發出的六項買入評等，建立了「強力買入」的共識評等。共識目標價為2,391.80美元，較目前水準隱含約29%的上漲空間。

值得注意的是，三星合作夥伴關係的公布並未揭露系統訂購數量或交貨時程，合作的商業範圍仍不明確——投資人可透過ASML未來的揭露持續追蹤這一缺口。

來源：Blockonomi