SK hynix股价隔夜反弹1.98%至145.55美元，此前该股在周二收盘时下跌0.70%至142.72美元。此次反弹源于公司高带宽闪存（HBF）与Sandisk合作的新细节浮出水面，其中包括一项旨在提升现代数据中心存储性能的开放行业标准的推出。

SK hynix与Sandisk确立高带宽闪存标准

在加利福尼亚州圣克拉拉举行的FMS 2026大会上，SK hynix与Sandisk发布了高带宽闪存技术的首个标准规范。该举措旨在应对由更大规模的推理工作负载和日益复杂的计算系统所驱动的不断增长的数据需求。

高带宽闪存定位于高带宽内存与固态硬盘之间，通过NAND技术将加速的数据传输与更大的存储容量相结合。该架构专为同时需要高速度和更大容量的系统而设计。随着AI模型规模不断扩大、推理工作负载持续增长，速度快但容量有限的HBM与速度较慢但容量更大的SSD之间的带宽差距已成为公认的瓶颈——这正是HBF所瞄准的领域。

两家公司于2025年8月启动正式标准化工作，并于2026年2月组建了联盟。新发布的规范通过八层和十六层NAND堆叠支持高达512GB的容量，并定义了三个带宽等级，范围从约0.4TB/s到3.0TB/s。

开放标准拓宽处理器兼容性

该规范采用通用芯粒互连Express将高带宽闪存与处理器连接。这一接口支持与多种处理器类型的集成，包括图形处理器和中央处理器，使系统设计者能够将该技术融入多样化的硬件平台。

该标准涵盖电气特性、连接方式、可靠性要求、封装规则和软件输入输出指南。SK hynix与Sandisk通过开放计算项目（OCP）发布了该规范，使框架可被更广泛的行业采用，而非局限于单一供应商。通过OCP发布也使HBF有望被超大规模数据中心设计所采纳，因为OCP定义的硬件规范在这些场景中被广泛使用。

Google和Tenstorrent已加入高带宽闪存联盟。该组织计划吸纳更多成员并进一步提升技术成熟度。更广泛的参与有望帮助供应商围绕共享的性能和兼容性基准对齐其产品。

SK hynix展示新一代NAND产品

在FMS 2026期间，SK hynix还展示了其第十代375层4D NAND晶圆。该产品仍在开发阶段，相较前一代实现了更高的效率，每瓦性能提升了2.5倍。

这款新NAND面向需要更高性能和更低功耗的数据中心。SK hynix计划于明年初开始相关企业级固态硬盘的量产，此举有望巩固其在先进计算系统大容量存储领域的地位。

此外，公司还展示了面向移动设备、个人电脑、汽车和机器人的产品。高管们阐述了将多种内存技术整合于单一系统中的分层内存架构。SK hynix正借助此次活动推动高带宽闪存在存储市场的更广泛普及，在其HBM领域既有领导地位的基础上，拓展至AI内存和存储栈的更广阔领域。