SK hynix周五表示，将投资约54万亿韩元（381亿美元），在龙仁和清州新建半导体晶圆厂，随着人工智能推动存储芯片需求激增，公司正加快产能扩张。

该芯片制造商董事会已批准35.2万亿韩元用于Y2，即位于京畿道龙仁半导体集群的第二座工厂，以及19.1万亿韩元用于M17，即位于忠清北道清州的新NAND闪存生产设施。

这些投资是公司6月公布的长期扩张计划的一部分。根据该计划，SK hynix拟向龙仁集群投入总计600万亿韩元，并再投入100万亿韩元扩充其清州生产基地。

“在AI时代，仅有技术竞争力是不够的。能够在客户需要时提供其所需产品，本身就是竞争力的来源，”一名SK hynix官员表示。“我们是在仔细评估需求后决定投资的。”

Y2将是龙仁集群规划中的四座工厂中的第二座，总建筑面积约为113万平方米。

建设计划于明年7月启动，首个洁净室预计于2029年6月启用。该工厂将生产下一代DRAM产品，包括高带宽存储器，这是AI加速器的关键组件。

Y2的投资将分阶段推进，直至2031年10月。

SK hynix目前正在建设Y1，即该集群的首座工厂，其首个洁净室预计将于明年2月启用。公司已将龙仁四座工厂全部完工的目标提前至2033年，较最初的2045年时间表大幅提前。

龙仁集群位于该市Wonsam地区，占地约420万平方米，其电力和供水基础设施第一阶段也接近完工，工程已完成99%。

在清州，M17将占地约681,000平方米，计划于2027年2月开工，首个洁净室预计于2028年12月启用。投资将分阶段持续至2031年4月。

SK hynix已在清州运营M11、M12和M15三座NAND工厂，因此新设施可利用现有土地、电力和供水基础设施，并与附近生产线衔接。

“这项投资旨在确保我们不会在市场增长时错失机会，”一名SK hynix官员表示。“通过在需求出现前提前 확보生产基础设施，我们希望成为关键的AI基础设施合作伙伴，为稳定的全球AI半导体供应链作出贡献。”