SK海力士是全球AI数据中心所用高带宽内存芯片的主导供应商，据报该公司正与Intel Foundry洽谈，由后者为其下一代HBM4E内存堆栈制造基础裸片。此举将标志着半导体供应链的一次重大转变，使英特尔在AI硬件最关键的组件之一上成为台积电的直接替代选择。

据韩国媒体The Herald Business报道，这一动向表明SK海力士已不再安心于依赖单一供应商来提供其HBM堆栈底层所需的逻辑裸片。

基础裸片为何重要

高带宽内存的运作方式是将多颗DRAM裸片垂直堆叠在基础裸片之上，后者充当内存与处理器之间的控制器和接口。对于HBM4，SK海力士自2026年起将基础裸片生产外包给台积电。这类基础裸片成本高昂，据报道其价格是SK海力士核心DRAM裸片的3至4倍，这意味着该组件的任何成本削减都将直接提升利润。

这正是英特尔介入的切入点。英特尔的EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）技术正被评估作为台积电CoWoS先进封装的替代方案。早期评估显示，在某些应用场景下，EMIB相比CoWoS可将封装成本降低约50%，这也解释了为何先进封装的产能与获取已成为AI芯片供应链的核心问题。

英特尔代工雄心迎来生机

据报道，EMIB与SK海力士HBM设计整合的测试阶段自2026年早些时候便已展开。谈判从技术评估推进到供应链规划，表明测试结果足以令人鼓舞，推动合作讨论继续前行。

对英特尔而言，在HBM4E基础裸片生产中扮演潜在角色，将在公司试图将代工业务拓展至自身芯片路线图之外之际，增加又一个潜在客户关系。对SK海力士而言，扩大供应商基础可降低对单一代工厂的依赖，尤其是针对这一处于AI内存性能与封装复杂性核心的组件。

更大的图景：40亿美元押注美国制造

与英特尔的潜在合作契合SK海力士大力投资供应链韧性的更广泛布局。该公司已在印第安纳州西拉法叶动工建设一座先进封装工厂，投资额超过40亿美元。该工厂的目标是在2029年下半年实现下一代HBM的量产。

竞争压力也是因素之一。三星作为SK海力士在内存市场的主要竞争对手，一直在专门为HBM4基础裸片开发自家的4纳米代工工艺。在此背景下，转向多元化制造选择，反映出在一个封装、基础裸片采购与代工合作日益与AI硬件部署节奏交织的行业中的现实选择。