三星推出业界首个 zHBM 概念，目标实现较 HBM5 八倍性能提升
作者: Korea Herald Business·
要点速览
- •三星推出 zHBM 概念机型，将 HBM 直接垂直堆叠在 AI 加速器上方，区别于传统的并排式 2.5D 中介层设计。
- •三星称，zHBM 通过晶圆键合技术可实现约 HBM5 八倍的性能和 10 倍以上的内存密度。
- •该架构据称可将能效提高三倍，并将热阻降低一半以上，缓解垂直堆叠存储中的关键工程难题。
- •zHBM 允许在存储器与加速器之间的中间层集成定制知识产权，以支持客户特定设计并扩展内存容量。
- •三星将 zHBM 作为概念发布，目前尚未公布商业量产时间表。
三星电子周三表示，已公开业界首个 zHBM 概念机型，这是一种下一代存储架构，预计性能约为 HBM5 的八倍。
这家全球最大的存储芯片制造商于周二（当地时间）在美国加州圣克拉拉举行的 Future of Memory and Storage 2026 会议上展示了这项下一代技术。
zHBM 专为先进人工智能（AI）计算而设计，采用一种全新的存储架构，将高带宽存储器（HBM）直接垂直堆叠在 AI 加速器上方，区别于传统将 HBM 放置在处理器旁边的设计。
据公司介绍，采用晶圆键合技术后，zHBM 的内存密度可达到 HBM5 的 10 倍以上，同时能效提升三倍，热阻降低一半以上。
该技术还通过允许将定制知识产权集成到存储器与 AI 加速器之间的中间层，支持客户特定设计，从而扩大内存容量并提升加速器性能。
通过尽量缩短 AI 处理器与存储器之间的数据传输距离，zHBM 旨在提供更高带宽和更高电源效率，以支持大规模 AI 训练和推理所需的超高速数据处理。
在与客户密切合作的基础上，三星电子表示，计划通过 zHBM 进一步优化 AI 处理器与存储器的集成，以最大化 AI 系统性能。（Yonhap）
