据路透社报道，三星电子与SK海力士正计划升级其中国制造工厂以生产更先进的NAND闪存，原因是在华本土竞争对手长江存储（YMTC）的竞争日益激烈，同时AI数据中心的需求不断增长。

NAND闪存是一种用于智能手机、PC和数据中心的非易失性存储器，厂商通过垂直堆叠存储单元展开竞争——层数越多，每片晶圆上的存储密度就越高。

西安“Monami”改造项目内幕

三星计划在2027年前将其位于中国西北部的西安工厂升级至286层V9 NAND。该项目内部代号为“Monami”，在法语中意为“我的朋友”。

据路透社援引知情人士的话报道，产量预计将逐步爬坡，到2026年12月达到每月5,000片晶圆，到2027年12月达到每月40,000片晶圆。

西安工厂目前生产约200层的NAND芯片，约占三星全球NAND产量的40%。三星表示，此次升级符合美国出口管制规定，将在不扩大产能或新建厂房的情况下支持包括美国在内的全球客户。

SK海力士推动大连工厂突破192层

SK海力士正在升级其位于中国的大连工厂，力图将该厂的NAND制程突破192层，产量目标为240层或更高。

该工厂于2021年随SK海力士收购英特尔NAND业务（现为Solidigm）而并入SK海力士。Solidigm目前正在筹备美国IPO，而大连仍是其唯一的NAND制造基地。

据TrendForce数据，中国估计占三星NAND产量的30%至35%，占SK海力士的40%至45%。因此，保持其中国工厂在最新技术上的竞争力对两家芯片制造商而言都至关重要。

长江存储是主要原因

2026年第二季度，长江存储在中国NAND闪存市场的地位进一步增强，以38.5%的份额超越持有33.5%份额的三星。据AI Weekly援引的数据，SK海力士以17%位居第三。

最新数据标志着长江存储的市场份额有所提升，2025年全年其约占市场28%。

长江存储也在推进其芯片技术。据路透社报道，尽管其产品线仍以160层和232层NAND芯片为主，但该公司已开始小批量生产294层芯片，并计划迈向300层以上。

三星和SK海力士在最先进NAND技术上仍保持领先，三星在全球生产28层芯片，SK海力士已量产321层NAND。不过，它们的中国工厂在这些技术进步上仍然落后。

美国许可问题

美国出口管制仍是三星和SK海力士面临的一道障碍，两家公司需要每年获得许可才能在其中国工厂安装美国制造的设备。2025年，华盛顿方面曾表示不太可能批准这些工厂的技术升级或产能扩张。

此后这一立场有所软化，据AI Weekly报道，两家公司均已获得2026年度许可，取代了此前用于维持中国工厂运转的豁免。不过，路透社表示无法确认升级所需设备中有多少已获得批准。由于这些许可每年都需要续期，华盛顿未来的批准情况将成为两家公司2026年和2027年产能爬坡计划中的一个反复出现的关卡。