三星电子的下一代AI内存芯片销售额已突破10亿美元大关，在开始量产约四个月后便达成了这一里程碑。该公司的第4代高带宽内存（HBM 4）芯片于2026年2月12日开始出货，据报道其性能较上一代标准提升了40%以上。

HBM4的推出与AMD供应协议

HBM4芯片的量产于2026年2月开始。截至3月18日，三星已与AMD签署了一份谅解备忘录，将为AMD的Instinct MI455X GPU和EPYC处理器供应HBM4芯片。此次合作旨在实现高达每秒3.3 TB（TB/s）的带宽，这得益于三星10nm级制造工艺。与AMD达成的这项协议是对三星HBM4项目的重大商业验证，因为加速器设计人员越来越多地采购与其芯片路线图直接挂钩的内存产品。

高带宽内存已成为AI硬件生态系统中的关键组件，因为它提供了大规模AI加速器和数据中心GPU所需的数据吞吐量。HBM芯片是垂直堆叠的DRAM裸片，靠近处理器放置，与传统的内存架构相比，能够降低延迟并提高带宽。随着AI模型参数量的增长和训练集群规模的扩大，HBM的带宽和容量已成为主要瓶颈，使得下一代HBM的供应成为每家主要GPU和加速器厂商的战略优先事项。

三星和英伟达（NVIDIA）也在GTC 2026活动上进行了讨论，重点探讨了HBM4E的整合以及未来HBM5架构的开发。三星能否获得英伟达（NVIDIA）即将推出的加速器代次的认证，仍然是AI内存领域最受关注的竞争动态之一。

HBM4E：三星的12层创新

到2026年5月，三星已开始出货其12层HBM4E变体的样品，该公司称其为业界首创。该芯片实现了高达每个引脚16 Gbps的速度，这一规格旨在最大程度地提高高要求AI工作负载的能效。

向12层设计的过渡代表了一项重大的工程成就，因为堆叠更多层会增加每个封装的内存容量，同时保持热完整性和信号完整性。更高的层数直接满足了每个加速器对更大内存容量的需求，使得AI系统能够在不增加内存子系统物理占位空间的情况下，容纳更大的模型和更大的批量大小。

AI内存市场的竞争格局

截至2026年6月23日达到的10亿美元销售额，凸显了整个AI供应链对高性能内存的强烈需求。三星从2月量产到6月下旬实现10亿美元营收的激进时间表，反映了整个行业在扩大AI基础设施产能方面的普遍紧迫感。超大规模数据中心运营商一直在迅速扩大GPU部署规模，而内存供应商则在竞相通过下一代HBM的量产来满足这一需求。

三星在HBM领域面临着激烈的竞争。在近几代产品中，SK海力士一直是英伟达（NVIDIA）的主要HBM供应商，而美光也一直在推进其自身的高带宽内存解决方案。三星推出HBM4以及HBM4E样品，标志着其正努力在这一已成为半导体存储行业中最具战略重要性的细分市场重新夺回市场份额。HBM代次更迭的步伐正在加快，HBM4、HBM4E和HBM5的开发现已出现重叠，这压缩了供应商必须向主要客户完成下一代芯片认证的时间窗口。