三星正在扩建其位于韩国平泽的半导体制造园区，将其打造为全球最具雄心的内存生产基地之一。这一扩张正值人工智能热潮推动GPU需求——进而推动GPU所依赖的内存芯片需求——不断攀升之际。园区内三座晶圆厂已全天候运转，第四座即将投产，第五座在经济前景黯淡的一年过后也已重新开工建设。

一座不眠的园区

平泽园区位于京畿道，自2017年首座晶圆厂P1投产以来稳步扩张。该园区目前拥有三座在产晶圆厂，而接下来的两座则承载着公司最宏大的雄心。

内存芯片分为两大类别，而AI建设热潮正使两者同时承压：DRAM提供处理器所需的高速工作内存，NAND则负责数据的长期存储。这一分工正在影响三星对产线的部署方式。

在P4，三星正在将一条NAND产线改造为专用DRAM产线。P4 DRAM产线的目标是到2027年第一季度达到每月10万至12万片晶圆的产能。该产线将采用三星最新一代DRAM制造工艺——1c工艺。

一座曾停工又复工的晶圆厂

P5是整个故事中最具代表性的一环。第五座晶圆厂的建设曾于2024年因内存芯片需求下滑而停工。随后AI热潮令需求飙升，工程得以重启。P5园区的建设此后不断提速，第二条产线的动工时间较原计划提前了六个月。

这种停工与复工交替的节奏，反映出内存制造行业的周期性特征：供应商在低迷期收缩产能，在需求回暖时竞相扩产——而由于晶圆厂建设往往需要数年，今天的决策将深刻影响未来的供应格局。

每座P5晶圆厂的投资额均超过60万亿韩元。这些晶圆厂采用三层洁净室设计以最大化产出，产能目标高达每月数十万片晶圆。

调整生产结构

三星不仅在新增产能，也在改造现有产线。该公司正在平泽和器兴两处设施将部分NAND产能重新分配给DRAM。此举的动因是服务器DRAM供应短缺，尤其是DDR5——支撑AI和云服务的数据中心服务器所采用的新一代内存标准。服务器DDR5价格溢价已达70%。

财务业绩也反映了这一转变。三星2026年第三季度营业利润突破100万亿韩元，创下单季纪录，HBM（高带宽内存）和DRAM销售是其主要推动力。HBM是一种高端DRAM，专为在AI加速器旁以极高速度传输数据而设计。

平泽之外

三星还正在推进一项360万亿韩元的投资计划，在龙仁建设一个包含六座新晶圆厂的产业集群。其中首座晶圆厂预计于2029年建成——这一时间表也说明，尖端内存产能从规划到建成需要何等漫长的时间。

后续关注

产能重新分配还可能对NAND产生连锁影响：将产线转向DRAM可能会在一定程度上收紧存储内存的供应。

关键时间节点已经明确：P4能否在2027年第一季度前实现每月10万至12万片晶圆的目标；随着新供应上市，服务器DDR5溢价能否维持；以及龙仁首座晶圆厂能否按计划在2029年建成。

来源：CryptoBriefing