Navitas Semiconductor 将于 9 月通过 GlobalFoundries 开始出货其首批美国制造的 Gen 5 GaNFast 晶圆。这一里程碑使 Navitas 更深入地进入面向数据中心、计算、工业系统和国防应用的本土功率半导体生产。NVTS 盘中一度大幅下跌后部分回升，最终报 $11.14，下跌 3.93%。

Navitas Semiconductor Corp, NVTS

美国 Gen 5 GaNFast 生产推进

Navitas 已在 GlobalFoundries 位于佛蒙特州 Burlington 的 200mm GaN-on-silicon 工厂开发其第五代 GaNFast 平台用于量产。该制造计划扩大了用于高效电气系统的先进氮化镓功率器件的本土产能，也为 Navitas 未来的 GaNFast 代际产品提供了美国本土生产来源。

两家公司于 2025 年 11 月建立长期战略合作伙伴关系，以加快美国本土 GaN 的开发与制造。此后，Navitas 已将其器件设计和工艺技术适配到 GlobalFoundries 的制造平台。此次合作将 Navitas 的功率半导体设计与 GlobalFoundries 成熟的大规模量产能力结合起来。

首批产品系列将包括 650 伏 GaN FET，覆盖多种导阻规格，以满足不同功率需求。Navitas 预计初始产品线中的导阻选项为 11、18、50、120 和 150 毫欧。该范围面向需要在效率、开关性能、体积和热管理之间取得不同平衡的电源系统。

9 月晶圆出货开启更广泛的样品安排

Navitas 预计首批 Gen 5 晶圆将在 9 月从佛蒙特州生产线下线。内部样品预计于 10 月跟进，公司将继续推进测试和认证工作。面向战略客户的样品计划在年底前推出，以支持在目标市场进行更广泛的评估。

9 月的出货标志着 Navitas 与 GlobalFoundries 制造合作伙伴关系下的第一步量产动作，也意味着 Navitas 最新的 GaNFast 架构首次进入美国本土商业晶圆代工厂。这一转变使公司从设计开发到美国本土晶圆生产的路径更加清晰。

Navitas 为数据中心供电、高性能计算、工业电气化和国家安全系统设计了该平台。随着先进计算和工业设备带动电力需求上升，这些应用需要高效的电能转换。GaN 器件有助于在高频开关过程中减少能量损耗，同时支持更小型的电源系统。

Navitas 持续推进长期 GaN 与 SiC 开发

自 2014 年以来，Navitas 一直在开发氮化镓功率产品，同时也运营着碳化硅技术组合。公司在 GaN 和 SiC 技术领域持有 300 多项已授权和待审专利。其技术组合覆盖器件结构、工艺设计套件、集成功率电路、控制功能、传感以及保护功能。

Gen 5 项目将这一技术基础扩展到面向 200mm GaN-on-silicon 晶圆的制造流程中。更大尺寸的晶圆格式有助于在良率和客户需求达到商业目标时实现更高产能。随着 Navitas 扩大客户认证，GlobalFoundries 提供的制造基础设施也可支持更高产量。

美国本土生产也为偏好国内半导体供应的市场提供了另一种供货选择。这一因素对需要可靠元件供应和可追溯制造的计算、工业和国防项目尤为重要。因此，9 月的晶圆出货除了是生产里程碑，也与公司更广泛的技术和供应链战略相互配合。

该文章最初发表于 Blockonomi。