美光内存产能已全部售罄至2027年,分析师称
要点速览
- •美光2026年全部高带宽内存产量已通过具有约束力的多年期合同锁定,供应紧张态势延续至2027年初。
- •SK海力士CEO预测2027年将出现内存行业史上最严重的供应短缺,需求压力可能持续到2030年代。
- •美光已承诺投入约2000亿美元用于产能扩张,但受多年半导体制造周期限制,新增产能最早要到2027年底才能投产。
- •优先保障AI应用HBM产能正在挤压传统DRAM和NAND供应,推动智能手机、个人电脑和汽车系统等市场价格全面上涨。
- •美光预计将实现约68%的毛利率,得益于与超大规模云服务商签订的长期协议,为内存行业提供了前所未有的收入可预见性。

美光科技未来两年能够制造的每一颗芯片均已确定买家。公司2026年全部高带宽内存(HBM)产量已通过具有约束力的多年期合同售罄,涵盖DRAM、NAND和HBM的整个内存行业预计将持续供不应求至2027年。
美光已承诺投入约2000亿美元用于未来产能建设。然而,这些投资带来的新增产能最早要到2027年底才有望投产。行业分析师普遍预测,全球内存产能的实质性增长要到2028年才会出现。资本支出与商业化产出之间的滞后反映了半导体制造固有的多年周期:场地准备、洁净室建设、设备安装和良率优化各自需要数月至数年时间,方可实现量产。
SK海力士首席执行官表示,2027年将出现行业史上最严重的内存供应短缺。SK海力士是与美光和三星共同主导全球内存生产的三家公司之一——这种寡头垄断结构意味着少数几家企业控制着全球绝大部分供应。该CEO进一步指出,即使整个行业正在推进大规模扩张计划,供需之间的激烈竞争仍可能持续到2030年代。这一预测发生在2022至2023年内存行业严重低迷之后——当时供应过剩导致价格下跌并促使生产商削减产量,凸显了市场状况逆转之迅速。
训练和运行大语言模型需要大量高带宽内存。HBM是一种专用高性能DRAM,直接搭载于AI加速器芯片上,已成为扩展AI系统的关键瓶颈。每一代基于GPU的AI加速器都封装多个HBM堆栈,以确保数据足够快速地输入处理器,避免空闲周期。美光2026年的HBM产量已通过合同全部锁定,供应紧张态势延续至2027年初。这些具有约束力的多年期协议锁定了收入——这一细节使当前周期有别于以往,过去内存定价主要由现货市场交易和短期采购订单驱动。
随着内存制造商优先保障AI相关产品的产能,传统DRAM和NAND的供应同样受到挤压。每一片分配给HBM的晶圆都意味着少生产一片标准内存芯片,这些芯片本应用于智能手机、个人电脑、服务器和汽车系统。这一动态正在推动整个内存市场的价格上涨,影响着远超AI领域的设备制造商和企业买家的成本结构。
美光预计将实现约68%的毛利率。与超大规模云服务商——即每年在AI算力上投入数百亿美元的大型云基础设施运营商——签订的具有约束力的多年期协议,为内存行业提供了前所未有的收入可预见性。
美光收购台湾地区生产设施代表了内存制造商之间竞争竞赛的另一维度。并购活动已成为确保未来产出的关键路径,因为从零开始建设新的制造产能耗时过长,无法应对近期需求。内存生产在东亚地区——涵盖韩国、台湾地区和日本——的地理集中度,也意味着设备供应、电力或物流方面的区域性中断可能对全球供应量产生超比例的影响。