SK hynix в среду сообщила о рекордной квартальной прибыли за второй квартал: операционная прибыль составила 60.54 трлн вон ($41.6 млрд), что на 557.2 процента больше, чем годом ранее, поскольку цены на память для серверов ИИ продолжали расти.

Выручка достигла 79.32 трлн вон, увеличившись на 256.8 процента в годовом выражении и на 51 процент по сравнению с первым кварталом. Чистая прибыль составила 93.92 трлн вон, увеличившись на 1,242.5 процента. Компания заявила, что это соответствует операционной марже 76 процентов и чистой марже 118 процентов.

Одна только квартальная операционная прибыль превысила годовой прогноз компании по операционной прибыли на 2025 год, который составляет 47.21 трлн вон. За первое полугодие выручка достигла 131.9 трлн вон — впервые SK hynix превысила 100 трлн вон за шестимесячный период — а операционная прибыль составила 98.15 трлн вон.

«И DRAM, и NAND flash показали резкий рост цен по сравнению с предыдущим кварталом», — заявила компания, добавив, что рост продаж был сосредоточен в продуктах с высокой добавленной стоимостью, включая HBM, DRAM для серверов ИИ и корпоративные SSD. Эти продуктовые направления остаются ключевыми для цепочки поставок памяти для дата-центров и оборудования ИИ, где спрос смещается в сторону более производительных компонентов.

Денежные средства и их эквиваленты выросли на 33.6 трлн вон по сравнению с предыдущим кварталом и достигли 88 трлн вон, тогда как заимствования снизились на 0.7 трлн вон до 18.6 трлн вон, что оставило чистую денежную позицию на уровне 69.4 трлн вон.

SK hynix сообщила, что завершила переговоры о долгосрочных соглашениях о поставках примерно с 10 клиентами, включая ключевых заказчиков, и продолжает обсуждения с другими крупными покупателями. Компания связала переход к многолетним контрактам с расширением спроса по мере того, как ИИ смещается в сторону агентов, выполняющих сложные задачи от имени пользователя, что увеличивает заказы как на обычную память, так и на продукты, ориентированные на ИИ.

Поставки HBM4 в массовом производстве начались во втором квартале, а объемы должны увеличиться во втором полугодии. Компания заявила, что HBM4 соответствует запрошенным клиентами рабочим скоростям и при этом демонстрирует, как она описала, ведущую в отрасли энергоэффективность и конкурентоспособность по затратам. Образцы HBM4E были поставлены в первом полугодии.

В сегменте NAND продукция с 321 слоем уже занимает наибольшую долю выпуска и к концу года должна достичь половины внутренней мощности. SK hynix также ускорила производственный график на своем заводе M15X, сохранив, как она это назвала, дисциплину капитальных затрат.