Samsung Electronics превысила отметку в 1 миллиард долларов продаж своих чипов памяти нового поколения для ИИ, достигнув этого результата примерно через четыре месяца после начала массового производства. Чипы памяти с высокой пропускной способностью (HBM) 4 компании начали отгружаться 12 февраля 2026 года и, как сообщается, обеспечивают прирост производительности более 40% по сравнению со стандартами предыдущего поколения.

Развёртывание HBM4 и соглашение о поставках с AMD

Массовое производство чипов HBM4 началось в феврале 2026 года. К 18 марта Samsung заключила меморандум о взаимопонимании с AMD на поставку чипов HBM4 для графического процессора AMD Instinct MI455X и процессоров EPYC. Партнёрство нацелено на пропускную способность до 3,3 терабайта в секунду (ТБ/с), обеспечиваемую производственным процессом 10-нм класса Samsung. Соглашение с AMD является значимым коммерческим подтверждением программы HBM4 компании Samsung, поскольку разработчики ускорителей всё чаще закупают память, непосредственно привязанную к их дорожным картам чипов.

Память с высокой пропускной способностью стала критически важным компонентом в экосистеме ИИ-оборудования, поскольку она обеспечивает пропускную способность данных, необходимую для крупномасштабных ИИ-ускорителей и графических процессоров для центров обработки данных. Чипы HBM представляют собой вертикально расположенные друг на друга кристаллы DRAM, размещаемые в непосредственной близости от процессора, что снижает задержки и увеличивает пропускную способность по сравнению с традиционными архитектурами памяти. По мере роста числа параметров ИИ-моделей и расширения размеров обучающих кластеров пропускная способность и ёмкость HBM стали основным узким местом, что сделало поставки HBM нового поколения стратегическим приоритетом для каждого крупного производителя графических процессоров и ускорителей.

Samsung и NVIDIA также провели обсуждения на мероприятии GTC 2026, сосредоточившись на интеграции HBM4E и разработке будущей архитектуры HBM5. Вопрос о том, получит ли Samsung квалификацию для грядущих поколений ускорителей NVIDIA, остаётся одной из самых пристально отслеживаемых конкурентных динамиок в секторе ИИ-памяти.

HBM4E: 12-слойная инновация Samsung

К маю 2026 года Samsung начала поставлять образцы своего 12-слойного варианта HBM4E, который компания описывает как отраслевой первенец. Чипы достигают скорости до 16 гигабит в секунду (Гбит/с) на контакт — спецификация, разработанная для максимального повышения энергоэффективности при demanding ИИ-нагрузках.

Переход к 12-слойной конструкции представляет собой значительное инженерное достижение, поскольку увеличение количества слоёв повышает ёмкость памяти на корпус при сохранении термальной и сигнальной целостности. Большее количество слоёв напрямую удовлетворяет потребность в увеличении ёмкости памяти на ускоритель, позволяя ИИ-системам размещать более крупные модели и обрабатывать большие пакеты данных без увеличения физических размеров подсистемы памяти.

Конкурентная среда на рынке ИИ-памяти

Сумма продаж в 1 миллиард долларов, достигнутая к 23 июня 2026 года, подчёркивает высокий спрос на высокопроизводительную память по всей цепочке поставок ИИ. Агрессивный график Samsung — от запуска массового производства в феврале до миллиардной выручки к концу июня — отражает общую срочность, царящую в отрасли в деле масштабирования мощностей ИИ-инфраструктуры. Операторы гипермасштабируемых центров обработки данных стремительно расширяют развёртывание графических процессоров, а поставщики памяти соревнуются в наращивании объёмов производства HBM нового поколения для удовлетворения этого спроса.

Samsung сталкивается с жёсткой конкуренцией в сегменте HBM. SK Hynix была доминирующим поставщиком HBM для NVIDIA в последних поколениях продукции, в то время как Micron продвигает собственные решения в области памяти с высокой пропускной способностью. Запуск HBM4 компанией Samsung, а также образцы HBM4E сигнализируют о согласованной попытке вернуть долю рынка в том сегменте, который стал наиболее стратегически важным в полупроводниковой индустрии памяти. Темп смены поколений HBM ускоряется: разработка HBM4, HBM4E и HBM5 теперь идёт параллельно, сжимая окно, в течение которого поставщики должны пройти квалификацию чипов нового поколения у ключевых заказчиков.