Samsung Electronics представила свой портфель памяти для ИИ нового поколения на конференции Future of Memory and Storage (FMS) 2026 в Санта-Кларе, Калифорния, обозначив технологическую дорожную карту, рассчитанную на удовлетворение быстро растущих потребностей высокопроизводительных вычислений и инфраструктуры искусственного интеллекта.

На стенде, оформленном в стиле облачного AI-сервера, компания продемонстрировала около 30 технологий памяти и хранения данных. Вступительный доклад под названием “Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture” представили Jin-Yub Lee, Executive Vice President и Head of Flash Product & Technology, а также Kyungryun Kim, Vice President DRAM Design Team.

Вертикальные архитектуры призваны переосмыслить интеграцию памяти и процессора

В центре дорожной карты Samsung находятся две концептуальные модели, существенно меняющие принцип взаимодействия памяти с процессорами. Компания представила zHBM, которая вертикально размещает память с высокой пропускной способностью непосредственно над AI-ускорителями, а не рядом с чипом. Samsung заявила, что такой подход сокращает путь передачи данных и обеспечивает примерно восьмикратный прирост производительности по сравнению с HBM5, более чем десятикратное увеличение плотности памяти и трехкратное повышение энергоэффективности, а также снижает тепловое сопротивление более чем наполовину.

Архитектура также поддерживает интеграцию пользовательской интеллектуальной собственности между слоями, позволяя создавать конфигурации, адаптированные под конкретные ускорители. Наряду с zHBM Samsung показала zNAND-O — решение на базе V-NAND, доступное в вариантах с четырьмя и восемью слоями, которое сочетает высокую эффективность использования пространства с низкой задержкой для рабочих нагрузок периферийного AI в реальном времени.

Samsung представляет V10 BV-NAND и раскрывает производственную дорожную карту

Samsung также объявила о V10 BV-NAND, который компания назвала первой в отрасли архитектурой Bonding V-NAND, реализованной благодаря новой технологии wafer bonding. Устройство содержит более 400 слоев и увеличивает плотность памяти примерно на 58% по сравнению с предыдущим поколением V9, одновременно улучшая показатели чтения, записи и I/O. По словам Samsung, этот рубеж достигнут спустя 13 лет после того, как компания представила первый в отрасли V-NAND.

Помимо концептуального оборудования, Samsung подробно описала свою ближайшую производственную дорожную карту. После, как компания заявляет, первой в отрасли массовой производства HBM4 в феврале, она начала поставки образцов HBM4E в мае и показала модель HBM5 на FMS 2026. Samsung также продемонстрировала LPDDR5X-PIM, которую компания называет первой в отрасли low-power DDR-памятью с технологией processing-in-memory. Система выполняет вычисления внутри массива памяти, чтобы сократить перемещение данных и энергопотребление.

Для инфраструктуры дата-центров были представлены корпоративные решения хранения PM1763 и BM1773. Как единственный производитель интегрированных устройств с ведущими компетенциями в области памяти, foundry и advanced packaging, Samsung подчеркнула свою стратегию end-to-end turnkey, предлагая интегрированные услуги проектирования и производства, призванные сократить циклы разработки и повысить производительность для клиентов, работающих с полупроводниками для ИИ.