НовостиАкцииNavitas Semiconductor начнет поставки первых произведенных в США пластин Gen 5 GaNFast в сентябре

Navitas Semiconductor начнет поставки первых произведенных в США пластин Gen 5 GaNFast в сентябре

Автор: Blockonomi·

Ключевые выводы

  • Navitas начнет поставки своих первых произведенных в США пластин Gen 5 GaNFast в сентябре через GlobalFoundries.
  • Пластины производятся на 200-мм предприятии GlobalFoundries по технологии GaN-on-silicon в Burlington, Vermont.
  • В начальную линейку войдут 650-вольтовые GaN FET с вариантами сопротивления 11, 18, 50, 120 и 150 миллиом.
  • Внутренние образцы ожидаются в October, а образцы для стратегических клиентов — до конца года.
  • Navitas заявляет, что платформа предназначена для центров обработки данных, высокопроизводительных вычислений, промышленной электрификации и систем национальной безопасности.
Navitas Semiconductor начнет поставки первых произведенных в США пластин Gen 5 GaNFast в сентябре

Navitas Semiconductor начнет поставки своих первых произведенных в США пластин Gen 5 GaNFast в сентябре через GlobalFoundries. Этот этап продвигает Navitas дальше в сторону внутреннего производства силовых полупроводников для центров обработки данных, вычислительных систем, промышленного оборудования и оборонных применений. Акции NVTS торговались по $11.14, снизившись на 3.93%, после резкого внутридневного падения и частичного восстановления.

Navitas Semiconductor Corp, NVTS

Производство U.S. Gen 5 GaNFast продвигается вперед

Navitas разработала свою платформу пятого поколения GaNFast для производства на 200-мм предприятии GlobalFoundries по технологии GaN-on-silicon в Burlington, Vermont. Производственный план расширяет внутренние мощности по выпуску передовых силовых устройств на основе нитрида галлия, используемых в высокоэффективных электрических системах. Он также дает Navitas базу производства в США для будущих поколений GaNFast.

Компании сформировали долгосрочное стратегическое партнерство в November 2025, чтобы ускорить развитие и производство GaN в США. С тех пор Navitas адаптировала свои схемотехнические решения и технологию процессов под производственную платформу GlobalFoundries. Это сотрудничество объединяет разработки Navitas в области силовых полупроводников с отлаженными возможностями GlobalFoundries по крупносерийному производству.

Первая продуктовая линейка будет включать 650-вольтовые GaN FET по нескольким спецификациям сопротивления канала для разных требований к мощности. Navitas ожидает варианты сопротивления 11, 18, 50, 120 и 150 миллиом в начальном ассортименте. Такой диапазон ориентирован на системы питания, которым нужен разный баланс между эффективностью, коммутационными характеристиками, размером и тепловым контролем.

Поставки в сентябре запускают более широкий график образцов

Navitas ожидает, что первые пластины Gen 5 покинут производственную линию в Vermont в течение сентября. Внутренние образцы должны последовать в October, пока компания проходит этапы тестирования и квалификации. Образцы для стратегических клиентов запланированы до конца года, что поддержит более широкую оценку на целевых рынках.

Поставка в сентябре отмечает первый производственный шаг в рамках партнерства Navitas и GlobalFoundries. Она также впервые выводит новейшую архитектуру GaNFast Navitas на коммерческое производство внутри страны. Этот переход дает компании более ясный путь от разработки к производству пластин в США.

Navitas разработала платформу для питания центров обработки данных, высокопроизводительных вычислений, промышленной электрификации и систем национальной безопасности. Эти области применения требуют эффективного преобразования энергии по мере роста спроса на электроэнергию в продвинутых вычислительных и промышленных системах. Устройства GaN могут поддерживать более компактные системы питания и одновременно снижать потери энергии при высокочастотном переключении.

Navitas развивает долгосрочные разработки в GaN и SiC

Navitas занимается разработкой силовых продуктов на основе нитрида галлия с 2014 года и также ведет портфель технологий на основе карбида кремния. Компания владеет более чем 300 выданными и заявленными патентами в областях GaN и SiC. Ее портфель охватывает структуры устройств, наборы проектных правил процесса, интегрированные силовые схемы, функции управления, сенсоры и функции защиты.

Программа Gen 5 расширяет эту техническую базу на производственный процесс, рассчитанный на 200-мм пластины GaN-on-silicon. Более крупные форматы пластин могут обеспечивать больший масштаб выпуска, когда выход годных изделий и спрос клиентов достигают коммерческих целей. GlobalFoundries добавляет производственную инфраструктуру, способную поддерживать более высокие объемы по мере расширения квалификации клиентов Navitas.

Производство в США также дает Navitas еще один вариант поставок для рынков, где важен внутренний источник полупроводников. Это особенно важно для вычислительных, промышленных и оборонных программ, которым необходимы надежная доступность компонентов и прослеживаемость производства. Таким образом, сентябрьская поставка пластин добавляет производственную веху к более широкой технологической и цепочечной стратегии компании.

The post Navitas Semiconductor (NVTS) Stock: First Gen 5 GaNFast Wafers Set for September appeared first on Blockonomi .