SK hynix poinformował w piątek, że zainwestuje około 54 bilionów wonów (38,1 mld dolarów) w budowę nowych zakładów produkcji półprzewodników w Yongin i Cheongju, przyspieszając rozbudowę mocy produkcyjnych w miarę jak sztuczna inteligencja napędza gwałtowny wzrost popytu na pamięci.

Zarząd spółki zatwierdził 35,2 biliona wonów na Y2, drugą fabrykę w Yongin Semiconductor Cluster w prowincji Gyeonggi, oraz 19,1 biliona wonów na M17, nowy zakład produkcji NAND flash w Cheongju w prowincji North Chungcheong.

Inwestycje są częścią długoterminowego planu rozbudowy ogłoszonego w czerwcu, w ramach którego SK hynix planuje przeznaczyć łącznie 600 bilionów wonów na klaster w Yongin oraz dodatkowe 100 bilionów wonów na rozwój bazy produkcyjnej w Cheongju.

„W erze AI sama przewaga technologiczna nie wystarcza. Zdolność dostarczania klientom produktów wtedy, gdy ich potrzebują, sama w sobie jest źródłem konkurencyjności” — powiedział przedstawiciel SK hynix. „Zdecydowaliśmy o inwestycji po dokładnym przeanalizowaniu popytu.”

Y2 będzie drugą z czterech fabryk planowanych w klastrze Yongin, a jego łączna powierzchnia użytkowa wyniesie około 1,13 miliona metrów kwadratowych.

Budowa ma rozpocząć się w lipcu przyszłego roku, a pierwsza clean room ma zostać uruchomiona w czerwcu 2029 roku. Zakład będzie produkować pamięci DRAM nowej generacji, w tym high-bandwidth memory, kluczowy komponent akceleratorów AI.

Inwestycja w Y2 będzie realizowana etapami do października 2031 roku.

SK hynix buduje obecnie Y1, pierwszą fabrykę w klastrze, której pierwsza clean room ma zostać otwarta w lutym przyszłego roku. Spółka przyspieszyła cel ukończenia wszystkich czterech fabryk w Yongin do 2033 roku, wobec pierwotnego terminu 2045.

Klaster Yongin, obejmujący około 4,2 miliona metrów kwadratowych w dzielnicy Wonsam w mieście, zbliża się także do zakończenia pierwszego etapu infrastruktury energetycznej i wodnej, przy czym prace są ukończone w 99 procentach.

W Cheongju zakład M17 obejmie około 681 tysięcy metrów kwadratowych, a budowa ma rozpocząć się w lutym 2027 roku. Pierwsza clean room ma zostać otwarta w grudniu 2028 roku. Inwestycje będą realizowane etapami do kwietnia 2031 roku.

SK hynix już prowadzi w Cheongju zakłady NAND M11, M12 i M15, co pozwoli nowej fabryce korzystać z istniejącej infrastruktury gruntowej, energetycznej i wodnej oraz połączyć się z pobliskimi liniami produkcyjnymi.

„Ta inwestycja ma na celu zapewnienie, że nie przegapimy okazji wraz ze wzrostem rynku” — powiedział przedstawiciel SK hynix. „Zabezpieczając infrastrukturę produkcyjną z wyprzedzeniem względem popytu, chcemy stać się kluczowym partnerem infrastrukturalnym AI, przyczyniającym się do stabilnego globalnego łańcucha dostaw półprzewodników AI.”