ActualitésActionsSK hynix approuve un investissement de 54 000 milliards de wons pour de nouvelles usines de semi-conducteurs à Yongin et Cheongju

SK hynix approuve un investissement de 54 000 milliards de wons pour de nouvelles usines de semi-conducteurs à Yongin et Cheongju

Auteur: Korea Herald Business·

Points clés

  • Le conseil d'administration de SK hynix a approuvé des investissements d'environ 54 000 milliards de wons (38,1 milliards de dollars), dont 35 200 milliards de wons pour l'usine de DRAM Y2 à Yongin et 19 100 milliards de wons pour l'installation de flash NAND M17 à Cheongju.
  • L'usine Y2 fabriquera des produits DRAM de nouvelle génération, notamment de la mémoire à large bande passante, un composant critique pour les accélérateurs d'IA actuellement fournis à NVIDIA, et sa première salle blanche devrait ouvrir en juin 2029.
  • SK hynix a avancé son objectif d'achèvement des quatre usines du cluster de Yongin à 2033, réduisant le calendrier de douze ans par rapport au planning initial de 2045.
  • Ces investissements font partie d'un plan d'expansion plus large annoncé en juin, dans le cadre duquel SK hynix prévoit d'engager un total de 600 000 milliards de wons dans le cluster de Yongin et 100 000 milliards de wons dans sa base de production de Cheongju.
  • L'installation de flash NAND M17, couvrant environ 681 000 mètres carrés, tirera parti de l'infrastructure existante sur le site de Cheongju, où SK hynix exploite déjà trois usines NAND, et sa construction devrait débuter en février 2027.
SK hynix approuve un investissement de 54 000 milliards de wons pour de nouvelles usines de semi-conducteurs à Yongin et Cheongju

SK hynix a annoncé vendredi qu'elle investirait environ 54 000 milliards de wons (38,1 milliards de dollars) pour construire de nouvelles usines de fabrication de semi-conducteurs à Yongin et Cheongju, accélérant ainsi l'expansion de sa capacité de production alors que l'intelligence artificielle alimente la demande croissante de puces mémoires.

Le conseil d'administration de l'entreprise a approuvé 35 200 milliards de wons pour Y2, la deuxième usine du cluster de semi-conducteurs de Yongin dans la province du Gyeonggi, et 19 100 milliards de wons pour M17, une nouvelle installation de fabrication de flash NAND à Cheongju, dans la province du North Chungcheong.

Ces investissements font partie d'un plan d'expansion à long terme dévoilé en juin, dans le cadre duquel SK hynix prévoit d'engager un total de 600 000 milliards de wons dans le cluster de Yongin et 100 000 milliards de wons supplémentaires pour développer sa base de production de Cheongju. L'ampleur de cet engagement souligne la façon dont le deuxième plus grand fabricant mondial de puces mémoires s'efforce de défendre son avance en matière de mémoire à large bande passante face à la concurrence intensifiée de Samsung Electronics et Micron Technology, qui investissent également des milliards dans des capacités de mémoire de pointe pour servir les fabricants d'accélérateurs d'IA tels que NVIDIA.

« À l'ère de l'IA, la seule compétitivité technologique ne suffit plus. La capacité de fournir aux clients les produits dont ils ont besoin au moment où ils en ont besoin est en soi une source de compétitivité », a déclaré un responsable de SK hynix. « Nous avons décidé de cet investissement après un examen minutieux de la demande. »

Y2 sera la deuxième des quatre usines prévues pour le cluster de Yongin, avec une surface totale d'environ 1,13 million de mètres carrés. La construction devrait débuter en juillet de l'année prochaine, et la première salle blanche devrait ouvrir en juin 2029. L'installation fabriquera des produits DRAM de nouvelle génération, notamment de la mémoire à large bande passante (HBM), un composant critique des accélérateurs d'IA. SK hynix fournit actuellement la HBM3E — la dernière génération de la technologie de mémoire empilée — à NVIDIA, et l'augmentation de la production de HBM de nouvelle génération sera essentielle pour maintenir cette relation à mesure que les charges de travail d'entraînement et d'inférence des modèles d'IA se multiplient. L'investissement dans Y2 sera déployé par phases jusqu'en octobre 2031.

SK hynix construit actuellement Y1, la première usine du cluster, dont la première salle blanche devrait ouvrir en février de l'année prochaine. L'entreprise a accéléré son objectif d'achèvement des quatre usines de Yongin à 2033, avançant par rapport au calendrier initial de 2045. Cette compression de 12 ans reflète à la fois l'urgence de la demande stimulée par l'IA et la pression plus large sur la chaîne d'approvisionnement mondiale des semi-conducteurs, alors que les gouvernements et les hyperscalers cherchent tous à sécuriser une capacité adéquate de fabrication de puces.

Le cluster de Yongin s'étend sur environ 4,2 millions de mètres carrés dans le district de Wonsam de la ville. La première phase de ses infrastructures électriques et hydriques est presque terminée, les travaux étant achevés à 99 %.

À Cheongju, l'installation M17 couvrira environ 681 000 mètres carrés. La construction devrait commencer en février 2027, et la première salle blanche devrait ouvrir en décembre 2028. Les investissements seront réalisés par étapes jusqu'en avril 2031.

SK hynix exploite déjà ses usines NAND M11, M12 et M15 sur le site de Cheongju, ce qui permet à la nouvelle installation d'exploiter les infrastructures foncières, électriques et hydriques existantes tout en se connectant aux lignes de production voisines. La demande de flash NAND, bien qu'actuellement plus faible que la hausse stimulée par l'IA pour la DRAM et la HBM, devrait bénéficier à long terme des besoins de stockage croissants dans les centres de données et des applications d'IA sur les appareils.

« Cet investissement vise à garantir que nous ne manquons pas les opportunités au fur et à mesure que le marché se développe », a déclaré un responsable de SK hynix. « En sécurisant l'infrastructure de production avant la demande, nous avons pour objectif de devenir un partenaire clé de l'infrastructure d'IA, contribuant à une chaîne d'approvisionnement mondiale stable des semi-conducteurs pour l'IA. »