SK hynix aprueba inversión de 54 billones de wones para nuevas plantas de semiconductores en Yongin y Cheongju
Puntos clave
- •La junta directiva de SK hynix aprobó inversiones por aproximadamente 54 billones de wones (38,100 millones de dólares), con 35.2 billones de wones para la fábrica de DRAM Y2 en Yongin y 19.1 billones de wones para la instalación de NAND flash M17 en Cheongju.
- •La fábrica Y2 fabricará productos DRAM de nueva generación, incluida memoria de ancho de banda de alta velocidad, un componente crítico para aceleradores de IA actualmente suministrado a NVIDIA, con su primera sala limpia prevista para abrir en junio de 2029.
- •SK hynix adelantó su objetivo de completar las cuatro fábricas del cluster de Yongin a 2033, avanzando el calendario doce años respecto al plan original de 2045.
- •Estas inversiones forman parte de un plan de expansión más amplio anunciado en junio, bajo el cual SK hynix tiene previsto destinar un total de 600 billones de wones al cluster de Yongin y 100 billones de wones a su base de producción en Cheongju.
- •La instalación de NAND flash M17, que cubre aproximadamente 681,000 metros cuadrados, aprovechará la infraestructura existente en el sitio de Cheongju, donde SK hynix ya opera tres fábricas NAND, con la construcción programada para comenzar en febrero de 2027.

SK hynix anunció el viernes que invertirá aproximadamente 54 billones de wones (38,100 millones de dólares) para construir nuevas plantas de fabricación de semiconductores en Yongin y Cheongju, acelerando la expansión de su capacidad de producción a medida que la inteligencia artificial impulsa una creciente demanda de chips de memoria.
La junta directiva de la empresa ha aprobado 35.2 billones de wones para Y2, la segunda fábrica en el Yongin Semiconductor Cluster de la provincia de Gyeonggi, y 19.1 billones de wones para M17, una nueva instalación de fabricación de NAND flash en Cheongju, provincia de Chungcheong del Norte.
Estas inversiones forman parte de un plan de expansión a largo plazo anunciado en junio, bajo el cual SK hynix tiene previsto destinar un total de 600 billones de wones al cluster de Yongin y otros 100 billones de wones adicionales para expandir su base de producción en Cheongju. La magnitud del compromiso subraya cómo el segundo mayor fabricante de chips de memoria del mundo se apresura a defender su liderazgo en memoria de ancho de banda de alta velocidad frente a la competencia cada vez más intensa de Samsung Electronics y Micron Technology, ambas invirtiendo también miles de millones en capacidad de memoria avanzada para servir a fabricantes de aceleradores de IA como NVIDIA.
"En la era de la IA, la competitividad tecnológica por sí sola no es suficiente. La capacidad de proveer a los clientes los productos que necesitan cuando los necesitan es en sí misma una fuente de competitividad", afirmó un funcionario de SK hynix. "Decidimos la inversión tras una revisión cuidadosa de la demanda."
Y2 será la segunda de cuatro fábricas planificadas para el cluster de Yongin, con una superficie total de aproximadamente 1.13 millones de metros cuadrados. Se prevé que la construcción comience en julio del próximo año, y se espera que la primera sala limpia abra en junio de 2029. La instalación fabricará productos DRAM de nueva generación, incluida la memoria de ancho de banda de alta velocidad (HBM), un componente crítico en los aceleradores de IA. SK hynix actualmente suministra HBM3E —la última generación de la tecnología de memoria apilada— a NVIDIA, y el aumento de la producción de HBM de próxima generación será fundamental para mantener esa relación a medida que se multiplican las cargas de trabajo de entrenamiento e inferencia de modelos de IA. La inversión en Y2 se desplegará por etapas hasta octubre de 2031.
SK hynix actualmente construye Y1, la primera fábrica del cluster, cuya sala limpia inicial está programada para abrir en febrero del próximo año. La empresa ha adelantado su objetivo de completar las cuatro fábricas de Yongin a 2033, retirándolo del calendario original de 2045. La compresión de 12 años refleja tanto la urgencia de la demanda impulsada por la IA como la presión más amplia sobre la cadena de suministro global de semiconductores, ya que tanto gobiernos como hiperescaladores buscan asegurar capacidad adecuada de fabricación de chips.
El cluster de Yongin abarca aproximadamente 4.2 millones de metros cuadrados en el distrito Wonsam de la ciudad. La primera fase de su infraestructura eléctrica y de agua está cerca de completarse, con el trabajo en un 99 por ciento.
En Cheongju, la instalación M17 cubrirá aproximadamente 681,000 metros cuadrados. Se prevé que la construcción comience en febrero de 2027, y la primera sala limpia está programada para abrir en diciembre de 2028. Las inversiones se realizarán por etapas hasta abril de 2031.
SK hynix ya opera sus fábricas NAND M11, M12 y M15 en el sitio de Cheongju, lo que permite a la nueva instalación aprovechar la infraestructura existente de terreno, electricidad y agua, al mismo tiempo que se conecta con las líneas de producción cercanas. La demanda de NAND flash, aunque actualmente más débil que el aumento impulsado por la IA en DRAM y HBM, se espera que se beneficie a largo plazo de las crecientes necesidades de almacenamiento en centros de datos y aplicaciones de IA en dispositivos.
"Esta inversión tiene como objetivo asegurarnos de no perder oportunidades a medida que el mercado crece", afirmó un funcionario de SK hynix. "Al asegurar la infraestructura de producción por adelantado a la demanda, aspiramos a convertirnos en un socio clave de infraestructura de IA que contribuya a una cadena de suministro global de semiconductores para IA estable."