SanDisk y Kioxia se han comprometido a invertir más de 31.000 millones de dólares en la producción japonesa de memoria flash NAND durante los próximos seis años. La cifra representa aproximadamente el 60% de lo que ambas empresas han gastado en Japón a lo largo de sus 25 años de asociación, comprimido en menos de un cuarto de ese tiempo.

Anunciada el 27 de agosto, la inversión asciende a aproximadamente 5 billones de yenes y financiará mejoras de infraestructura y tecnológicas en dos instalaciones existentes: Yokkaichi, en la prefectura de Mie, y Kitakami, en la prefectura de Iwate. La pieza central del plan es una planta de fabricación completamente nueva, Fab3, en el sitio de Kitakami.

La instalación Fab3

Solo Fab3 tiene un costo estimado de 1,8 billones de yenes, es decir, unos 11.300 millones de dólares. Esa única instalación representa más de un tercio del paquete de inversión total, y se espera que sus operaciones comiencen en el año fiscal 2029 o después.

Como referencia, la empresa conjunta entre Kioxia y SanDisk ha invertido más de 50.000 millones de dólares (aproximadamente 9 billones de yenes) en Japón durante el último cuarto de siglo. Añadir 31.000 millones de dólares más para 2032 representa una aceleración drástica en el despliegue de capital.

Las empresas han vinculado explícitamente la inversión al aumento de la demanda de memoria flash de alta densidad impulsada por las cargas de trabajo de IA. Los centros de datos de IA dependen del almacenamiento de alta capacidad para conjuntos de datos de entrenamiento, puntos de control de modelos y cargas de trabajo de inferencia con alta demanda de recuperación, y los proveedores de NAND de toda la industria han estado ampliando su capacidad en respuesta.

El respaldo gubernamental como condición previa

El plan de 31.000 millones de dólares está condicionado al apoyo del gobierno japonés. El mismo día del anuncio, los directores ejecutivos de Kioxia y SanDisk se reunieron con la primera ministra japonesa Sanae Takaichi para discutir un posible financiamiento gubernamental. Según informes, las empresas buscan respaldo público para aproximadamente un tercio de la inversión total.

La solicitud se alinea con la política industrial más amplia de Japón en los últimos años, bajo la cual Tokio ha subsidiado grandes proyectos semiconductores nacionales, incluidas las fábricas de TSMC en Kumamoto y la empresa de chips avanzados Rapidus. Las expansiones de capacidad anteriores de Kioxia y SanDisk en Kitakami también han recibido apoyo gubernamental.

Lo que produce la asociación

Kioxia y SanDisk son actores consolidados desde hace tiempo en la industria de la memoria. Su empresa conjunta, extendida hasta diciembre de 2034 en enero de 2026, ha sido una de las alianzas más duraderas del sector de los semiconductores. Juntas fabrican BiCS Flash, la tecnología 3D NAND de Kioxia. La generación actual, la décima iteración, fue codesarrollada por ambas empresas.

La memoria 3D NAND funciona apilando celdas de memoria verticalmente en lugar de distribuirlas sobre una superficie plana. Cada generación añade más capas, lo que aumenta la densidad de almacenamiento sin requerir proporcionalmente más espacio físico.

Kioxia y Western Digital (empresa matriz de SanDisk hasta su reciente separación) han sido históricamente los segundos mayores productores de NAND a nivel mundial, solo por detrás de Samsung. La industria de la NAND es altamente cíclica, con períodos previos de sobreoferta que provocaron fuertes caídas de precios y recortes de producción, razón por la cual los planes de capital de esta escala suelen aplicarse por fases y estar condicionados a las señales de demanda y al apoyo gubernamental.

Lo que habrá que observar en los próximos meses es si el gobierno japonés confirma los subsidios solicitados y en qué términos, junto con el ritmo al que avanza la construcción de Fab3 hacia su objetivo operativo del año fiscal 2029 o posterior.