Samsung Electronics ha superado la marca de 1.000 millones de dólares en ventas de sus chips de memoria para IA de nueva generación, alcanzando este hito aproximadamente cuatro meses después del inicio de la producción en masa. Los chips de memoria de ancho de banda alto (HBM) 4 de la compañía comenzaron a enviarse el 12 de febrero de 2026 y, según se informa, ofrecen mejoras de rendimiento que superan el 40% respecto a los estándares de la generación anterior.

El lanzamiento de HBM4 y el acuerdo de suministro con AMD

La producción en masa de los chips HBM4 comenzó en febrero de 2026. Para el 18 de marzo, Samsung había asegurado un memorando de entendimiento con AMD para suministrar chips HBM4 para la GPU Instinct MI455X de AMD y los procesadores EPYC. La alianza tiene como objetivo alcanzar anchos de banda de hasta 3,3 terabytes por segundo (TB/s), habilitados por el proceso de fabricación de clase 10 nm de Samsung. El acuerdo con AMD representa una validación comercial significativa del programa HBM4 de Samsung, ya que los diseñadores de aceleradores obtienen cada vez más memoria directamente vinculada a sus hojas de ruta de chips.

La memoria de ancho de banda alto se ha convertido en un componente crítico del ecosistema de hardware de IA, ya que proporciona el rendimiento de datos que requieren los aceleradores de IA a gran escala y las GPU de centros de datos. Los chips HBM son matrices DRAM apiladas verticalmente que se ubican cerca del procesador, lo que reduce la latencia y aumenta el ancho de banda en comparación con las arquitecturas de memoria convencionales. A medida que los modelos de IA han aumentado en número de parámetros y los tamaños de los clústeres de entrenamiento se han expandido, el ancho de banda y la capacidad de la HBM se han convertido en un cuello de botella principal, lo que hace que el suministro de HBM de nueva generación sea una prioridad estratégica para todos los principales proveedores de GPU y aceleradores.

Samsung y NVIDIA también mantuvieron conversaciones durante el evento GTC 2026, enfocándose en la integración de HBM4E y el desarrollo de la futura arquitectura HBM5. Si Samsung logra la certificación para las próximas generaciones de aceleradores de NVIDIA sigue siendo una de las dinámicas competitivas más vigiladas en el sector de memoria para IA.

HBM4E: la innovación de 12 capas de Samsung

Para mayo de 2026, Samsung había comenzado a enviar muestras de su variante HBM4E de 12 capas, que la empresa describe como la primera de la industria. Los chips alcanzan velocidades de hasta 16 gigabits por segundo (Gbps) por pin, una especificación diseñada para maximizar la eficiencia energética en cargas de trabajo de IA exigentes.

La transición a un diseño de 12 capas representa un logro de ingeniería significativo, ya que apilar más capas aumenta la capacidad de memoria por paquete manteniendo la integridad térmica y de señal. Un mayor número de capas aborda directamente la necesidad de mayor capacidad de memoria por acelerador, permitiendo que los sistemas de IA gestionen modelos más grandes y tamaños de lote más amplios sin aumentar el espacio físico del subsistema de memoria.

Panorama competitivo en el mercado de memoria para IA

La cifra de ventas de 1.000 millones de dólares, alcanzada el 23 de junio de 2026, subraya la intensa demanda de memoria de alto rendimiento en toda la cadena de suministro de IA. El cronograma agresivo de Samsung, desde el lanzamiento de la producción en masa en febrero hasta ingresos de 1.000 millones de dólares a finales de junio, refleja la urgencia generalizada en la industria por ampliar la capacidad de infraestructura de IA. Los operadores de centros de datos hiperaescalables han estado expandiendo rápidamente sus implementaciones de GPU, y los proveedores de memoria compiten para igualar esa demanda con producción en volumen de HBM de nueva generación.

Samsung enfrenta una fuerte competencia en el segmento de HBM. SK Hynix ha sido el principal proveedor de HBM para NVIDIA en las recientes generaciones de productos, mientras que Micron ha estado avanzando sus propias soluciones de memoria de ancho de banda alto. El lanzamiento de HBM4 por parte de Samsung, junto con las muestras de HBM4E, señala un esfuerzo concertado para recuperar cuota de mercado en lo que ha surgido como el segmento más importante desde el punto de vista estratégico de la industria de memoria de semiconductores. El ritmo de las transiciones entre generaciones de HBM se está acelerando, con el desarrollo de HBM4, HBM4E y HBM5 ahora superpuesto, lo que comprime el período en el que los proveedores deben certificar los chips de nueva generación con los principales clientes.