Todo chip que Micron Technology pueda fabricar durante los próximos dos años ya está comprometido con compradores. La totalidad de la producción de memoria de alto ancho de banda (HBM) de la empresa para 2026 está comprometida bajo contratos plurianuales vinculantes, y se espera que la industria de la memoria en general —que abarca DRAM, NAND y HBM— permanezca agotada hasta 2027.

Micron ha comprometido aproximadamente 200 mil millones de dólares a inversiones futuras de capacidad. Sin embargo, no se espera que la nueva producción proveniente de esas inversiones entre en operación hasta finales de 2027 como muy pronto. Los analistas de la industria prevén de manera generalizada que una nueva capacidad global de memoria significativa no se materializará hasta 2028. El desfase entre el gasto de capital y la producción comercial refleja los plazos plurianuales inherentes a la fabricación de semiconductores: la preparación del sitio, la construcción de salas limpias, la instalación de equipos y la optimización del rendimiento requieren cada uno de meses a años antes de que comience la producción en volumen.

El CEO de SK Hynix ha afirmado que 2027 presenciará la peor escasez de suministro de memoria en la historia de la industria. SK Hynix es una de las tres empresas, junto con Micron y Samsung, que dominan colectivamente la producción global de memoria —una estructura de oligopolio en la que un puñado de empresas controla la gran mayoría del suministro mundial. El CEO fue más allá, sugiriendo que la intensa competencia entre oferta y demanda podría persistir hasta bien entrada la década de 2030, incluso con planes agresivos de expansión en marcha en toda la industria. Este pronóstico sigue a una severa recesión de la memoria en 2022–2023, cuando el exceso de oferta provocó una caída de precios y llevó a los productores a recortar la producción, lo que subraya la rapidez con la que se han revertido las condiciones.

El entrenamiento y la ejecución de grandes modelos de lenguaje requiere cantidades sustanciales de memoria de alto ancho de banda. HBM es una DRAM especializada de alto rendimiento que se ubica directamente sobre los chips aceleradores de IA, y se ha convertido en un cuello de botella crítico para el escalamiento de los sistemas de IA. Cada generación de aceleradores de IA basados en GPU integra múltiples pilas de HBM para suministrar datos al procesador con la velocidad suficiente para evitar ciclos inactivos. La producción de HBM de Micron para 2026 está completamente comprometida bajo contrato, con una escasez de suministro que se extiende hasta principios de 2027. Estos acuerdos plurianuales vinculantes garantizan los ingresos —un detalle que distingue el ciclo actual de los anteriores, donde los precios de la memoria se basaban principalmente en transacciones del mercado spot y órdenes de compra a corto plazo.

A medida que los fabricantes de memoria priorizan la capacidad para productos relacionados con IA, el suministro convencional de DRAM y NAND también se ve afectado. Cada oblea asignada a HBM es una oblea que no produce chips de memoria estándar utilizados en teléfonos inteligentes, PC, servidores y sistemas automotrices. Esta dinámica está provocando aumentos de precios en todo el mercado de memoria en general, afectando las estructuras de costos de los fabricantes de dispositivos y de los compradores empresariales mucho más allá del sector de la IA.

Se proyecta que Micron alcanzará márgenes brutos de aproximadamente 68%. Los acuerdos plurianuales vinculantes con los hiperescaladores —los grandes operadores de infraestructura en la nube que invierten decenas de miles de millones anualmente en capacidad de cómputo para IA— proporcionan un grado de previsibilidad de ingresos que la industria de la memoria no ha disfrutado históricamente.

La adquisición de instalaciones taiwanesas por parte de Micron representa otra dimensión de la carrera competitiva entre los productores de memoria. La actividad de fusiones y adquisiciones se ha convertido en una vía crítica para asegurar la producción futura, ya que construir nueva capacidad de fabricación desde cero requiere demasiado tiempo para satisfacer la demanda a corto plazo. La concentración geográfica de la producción de memoria en Asia Oriental —que abarca Corea del Sur, Taiwán y Japón— también significa que las disrupciones regionales en el suministro de equipos, energía o logística pueden tener efectos desproporcionados sobre la disponibilidad global.